RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3062
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link