RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1433
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link