PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    13.8 left arrow 12
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.4 left arrow 6.6
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 27
    Около -13% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 12.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 6.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 1433
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения