RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2659
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link