RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
50
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2326
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link