RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2667
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link