RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3714
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link