RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3495
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link