RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
65
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1836
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link