RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3546
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link