RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3546
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link