RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3546
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link