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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
18.2
写入速度,GB/s
8.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3546
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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