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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
18.2
写入速度,GB/s
8.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3546
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
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