RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3302
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link