RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3466
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link