RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2806
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link