RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2806
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link