RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3697
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link