RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3697
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link