RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3422
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link