RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony 59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
66
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1877
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link