RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1860
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link