RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3845
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link