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PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
17.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3845
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
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