PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
InnoDisk Corporation  16GB

InnoDisk Corporation 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 38
    Wokół strony 29% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 7.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 8.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 10600
    Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    27 left arrow 38
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 7.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 8.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2274 left arrow 2163
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania