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PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2163
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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