RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2945
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link