RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3206
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link