RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3660
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link