RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2236
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link