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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
52
Por volta de 48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
52
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2236
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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