RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
49
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2413
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link