RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
54
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2176
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link