RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
2740
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link