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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
38
左右 -52% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
25
读取速度,GB/s
16.7
15.2
写入速度,GB/s
10.0
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2740
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
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