RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
2544
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link