RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
3606
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link