RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
42
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
3814
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link