RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
42
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
7.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
20.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3814
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Corsair CMX16GX3M4A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link