RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
3293
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link