RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2720
2925
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link