Confronto tra le RAM Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 19200

Intorno 1.11% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 36

Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 15.4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.5 10.8

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2720 2925

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns