RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1932
3052
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link