RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
24.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
4300
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link