RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3911
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link