RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
62
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
62
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2710
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT51264BD160BJ.M8F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link