RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
62
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
62
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.7
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2710
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link