RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
85
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
85
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
1118
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link