RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
43
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2812
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link