RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
76
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
76
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
1260
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link