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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
76
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
76
读取速度,GB/s
11.4
10.3
写入速度,GB/s
7.7
6.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
1260
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
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