RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
46
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
46
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2660
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link