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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
46
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
46
读取速度,GB/s
11.4
16.0
写入速度,GB/s
7.7
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2660
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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